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智能负载切换有助于实现可靠的热插拔系统

发布时间:2020-06-30 17:07:22 阅读: 来源:项链厂家

服务器、磁盘阵列和其他高可用性系统几乎无一例外被要求在无需关闭供电系统的情况下更换功能模块。系统工作时更换模块通常被称为热插拔。能够提供热插拔功能的一个关键因素,是对每个可互换模块的本地电源系统进行适当的管理。 为了支持热插拔,印刷电路板等部件必须能够可靠地执行几项操作,其中电源管理最为关键。当电路板插到较大系统时控制工程网版权所有,分配给其他系统和使这块电路板初始化之前,电路板的热插拔控制器必须确保连接器的电源是稳定的。对于板上流过小电流,可以用MOSFET数字开关来切换电路板上的电源。对于更大的电流(例如10安培的电流),则需要采用更复杂的开关策略,以避免引起总线级电源瞬变,导致损坏MOSFET电流开关。使系统级性能达到最高要求具有顶级热插拔管理功能与低级别的开关控制功能间的紧密协调,如时序和故障检测。虽然有可能用硬连线的电路实现这样的系统,使用可编程系统器件往往是更简单和有成本效益的。 热插拔电源开关 热交换模块连接器的电源引脚通常不会直接连接到模块的内部电源总线。更普通的方案是用MOSFET或其他类型的电源开关器件隔离总线电源,如图1所示。通过MOSFET M1,该电路控制+12V单总线电源连接至板端电压,这个电路采用了莱迪思半导体公司的ispPAC-POWR-1014可编程电源管理器件。该电路其他部分实施的独立功能包括:图1——热插拔控制器通常采用一个功率MOSFET(M1),在内部板正确插入插槽后,将总线电源和内部板供电系统连接。莱迪思的ispPAC-POWR1014通过可编程逻辑和模拟功能可根据应用需求提供智能化的控制。

1. 电压监控——通过电阻分压器R1/R2和R7/R8 2. 电流检测——通过RSENSE和一个ZXCT1009差分放大器 3. 高压MOSFET驱动器——ispPAC器件的CHARGE_PUMP信号是方波,用于加在C2两端的高电压(> +12V),可以用来完全开启N沟道MOSFET M1。通过Q2的缓冲SHUT_DOWN信号控制M1的栅极电压。 采用了最少的内部电容,模块消耗少量的功率,可以简单地通过开启M1至低阻的开状态(硬开关)来使这个模块迅速上电。然而,模块拥有更大功率的要求时控制工程网版权所有,这将导致大的开启电流瞬间通过M1,因为当CL在充电过程中,在电源和地之间将出现瞬时的短路电流。由此产生的瞬间电流会产生两个问题:首先,它可以导致总线电源电压下降,有可能影响其他共享总线电源模块的操作;其次控制工程网版权所有,敏感性降低,瞬变电流可能会损坏MOSFET,其结果是降低了长期的可靠性或完全失败。 通过MOSFET或其他纯电阻器件,充电电容(C)上升到电压源(V)时控制工程网版权所有,消耗在MOSFET上的总消耗能量为CV2/2,与最终被储存在电容中的能量相同。这独立于MOSFET导通电阻或需要充电的时间。而消耗的总能量是不容协商的,它消散的速率——瞬时功率是可以控制的。例如,使用小导通电阻的MOSFET在短时期间形成大功率的耗散,而有较大导通电阻的器件将经历一个较长时间的更低功率耗散。在最大功率耗散和需要充电模块的本地电容之间作出平衡的关键,是有效的实现热插拔设计。

图2MOSFET的安全工作区域(SOA)图说明了器件在漏极-源极电压和漏极电流组合下的安全极限。不同的控制策略可以用来避免当MOSFET用作热插拔负载开关时被过分驱动。

根据安全工作区(SOA)图(见图2),安全耗散给定的功率数额的MOSFET时间通常在器件的数据手册上进行了说明。根据不同组合的漏极到源极电压(VDS)和漏电流(ID),SOA图表说明了MOSFET仍然可以安全保持偏置的最大时间。在这个SOA图中,重叠的VDS和ID的“轨迹”对应要讨论的控制方案。 如果迅速地开关MOSFET(图2所示的黑色“硬开关”曲线),就会最初化至VDS的最大值,ID只受到沟道电阻和寄生阻抗的限制,诸如PCB走线和电感。当负载电容充电时控制工程网版权所有,MOSFET的工作点向左移动到更有利的情况。如果工作点不能够迅速地转变,MOSFET可能损坏或毁坏。而即使选择了一个具有足够大功率耗散功能的MOSFET,初始浪涌电流可能会破坏总线电源的问题仍然存在。

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